Teilnahme an der führenden Elektronikmesse Südasiens in Bengaluru, Indien, vom 16. bis 18. September

Präsentation von Prozesstechnologien für Leistungshalbleiter – darunter BCD, SiC und GaN – bei gleichzeitiger Akquise neuer Kunden unter lokalen Fabless-Unternehmen

SEOUL, Südkorea, 20. August 2026 /PRNewswire/ -- DB HiTek, Koreas führende reine 8-Zoll-Foundry, gab bekannt, dass das Unternehmen an der electronica India 2026 teilnehmen wird, die vom 16. bis 18. September (Ortszeit) in Bengaluru, Indien, stattfindet. Das Unternehmen strebt an, die Beziehungen zu lokalen Kunden zu stärken und seine Präsenz auf dem indischen Markt auszubauen.

Die electronica India, die in Bengaluru – Indiens „Silicon Valley" – stattfindet, ist Südasiens führende Fachmesse für elektronische Komponenten, Systeme, Anwendungen und zugehörige Lösungen. Auf der Veranstaltung wird DB HiTek seine wichtigsten Prozesstechnologien präsentieren, darunter seinen Flaggschiff-BCD-Prozess (Bipolar-CMOS-DMOS) sowie Leistungshalbleiter der nächsten Generation auf SiC- (Siliziumkarbid) und GaN- (Galliumnitrid) Basis. Das Unternehmen strebt zudem den Aufbau neuer Geschäftsbeziehungen mit lokalen Fabless-Unternehmen an.

Angetrieben durch starke politische Unterstützung seitens der Regierung und aktive Investitionen wächst Indiens Halbleiter-Ökosystem rasant. Lokale Unternehmen, die ihr Geschäft auf Chip-Design-Dienstleistungen aufgebaut haben, expandieren nun in die Entwicklung eigener Halbleiterprodukte – ein Trend, der voraussichtlich die Nachfrage nach Foundry-Dienstleistungen steigern wird. Als Reaktion auf diese Marktdynamik hat DB HiTek die Zusammenarbeit mit indischen Fabless-Unternehmen verstärkt und plant, die Messe zu nutzen, um den Kontakt zu potenziellen Kunden auszubauen.

Auf der Messe wird sich DB HiTek auf seine Prozesstechnologien für Leistungshalbleiter konzentrieren, ein Bereich, in dem das Unternehmen einen Wettbewerbsvorteil aufgebaut hat. Sein Flaggschiff, der BCD-Prozess, hat eine kumulierte Wafer-Auslieferungszahl von 9 Millionen erreicht, und das Unternehmen nutzt seine umfangreiche Erfahrung in der Serienfertigung sowie sein Prozess-Know-how, um in hochwertige Anwendungen im Automobil- und Industriesektor zu expandieren.

Im Bereich der Leistungshalbleiter der nächsten Generation wird DB HiTek seine Fortschritte bei der Entwicklung von SiC- und GaN-Prozessen sowie seine Roadmap für die Serienproduktion vorstellen. Das Unternehmen hat vor Kurzem die Prozessqualifizierung für seinen 1.200-V-SiC-MOSFET abgeschlossen und plant, die Qualifizierung für seinen 650-V-GaN-Prozess bis Dezember dieses Jahres abzuschließen. Derzeit laufen bei strategischen Kunden Leistungsbewertungen der Produkte unter Verwendung dieser Prozesse.

Darüber hinaus wird DB HiTek verschiedene spezialisierte Prozesstechnologien vorstellen – darunter Röntgen-, Global-Shutter-, SPAD- (Single-Photon-Avalanche-Diode) und andere spezielle CIS-Technologien sowie Mixed-Signal-/HF-Prozesse –, um seinen Kundenstamm in der Region weiter auszubauen.

Ein Vertreter von DB HiTek erklärte: „Indien ist ein Markt, auf dem das rasante Wachstum lokaler Fabless-Unternehmen und des Halbleiter-Ökosystems neue Geschäftsmöglichkeiten schafft." Er fügte hinzu: „Durch unsere Teilnahme an der electronica India wollen wir unsere Beziehungen zu lokalen Kunden stärken und auf der Grundlage unserer Stärken bei Leistungshalbleitern und Spezialprozessen weiterhin neue Geschäftsmöglichkeiten erschließen."

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Forschende der Universität Zürich (UZH) haben einen Ansatz entwickelt, mit dem sich akuter Schlafmangel im Speichel nachweisen lässt. In einer aktuellen Studie identifizierte das Team um Thomas Krämer vom Institut für Rechtsmedizin eine Art metabolischen Fingerabdruck, der starke Übermüdung zuverlässig anzeigt. Die Resultate wurden im Fachmagazin „Journal of Proteome Research“ veröffentlicht und von Krämer als „Meilenstein für die forensische Forschung“ bezeichnet.

Für die Untersuchung rekrutierten die Wissenschaftler 20 gesunde junge Männer, die normalerweise sieben bis neun Stunden pro Nacht schlafen. Die Probanden durchliefen drei Szenarien: eine Nacht komplett ohne Schlaf, vier Nächte mit jeweils zwei Stunden weniger Schlaf als üblich sowie eine Kontrollbedingung mit rund acht Stunden Schlaf. Nach jeder Phase wurden Speichelproben entnommen und mittels hochauflösender Massenspektrometrie analysiert. Mithilfe von maschinellem Lernen suchte das Team nach molekularen Mustern, die spezifisch auf akuten Schlafentzug hinweisen.

Die Auswertung ergab, dass starke Übermüdung rund zehn Prozent aller Biomoleküle im Speichel beeinflusst. Aus zehntausenden gemessenen Molekülen filterten die Forschenden schließlich zehn spezifische Biomarker heraus, die als Signatur für akuten Schlafmangel dienen könnten. Diese erstmals im Speichel identifizierten direkten Marker für Übermüdung unter alltagsnahen Bedingungen gelten aus Sicht der UZH als Grundlage für neue diagnostische Verfahren.

Langfristig zielt das Projekt auf die Entwicklung eines Schnelltests, der vor Ort eingesetzt werden könnte – etwa im Strassenverkehr, in sicherheitskritischen Berufen oder bei der forensischen Abklärung von Unfällen. Die Forschenden betonen jedoch, dass es sich derzeit um eine Grundlagenstudie mit einer kleinen und homogenen Probandengruppe handelt. Bevor ein solcher Speicheltest in der Praxis Anwendung findet, seien umfangreichere Untersuchungen mit grösseren und vielfältigeren Bevölkerungsgruppen erforderlich.